Xem sản phẩm trên ShopeeQuận Hoàng Mai, Hà Nội
thứ tư 09/06/2021 lúc 04:00 CH
Thông số kỹ thuật 2N5551 :
Chất liệu của transistor: Si
Phân cực: NPN
Tối đa tản quyền lực thu (Pc), W: 0,31
Tối đa điện áp collector-base | UCB |, V: 180
Tối đa điện áp collector-emitter | UCE |, V: 160
Tối đa điện áp emitter-base | Trường ĐHKT |, V: 6
Tối đa thu hiện tại | Ic max |, A: 0.6
Maksimalna nhiệt độ (Tj), ° C: 135
tần số chuyển đổi (ft), MHz: 100
Collector điện dung (Cc), pF: 6
Chuyển tiếp tỷ lệ chuyển nhượng hiện tại (hFE), min: 80
Chất liệu của transistor: Si
Phân cực: NPN
Tối đa tản quyền lực thu (Pc), W: 0,31
Tối đa điện áp collector-base | UCB |, V: 180
Tối đa điện áp collector-emitter | UCE |, V: 160
Tối đa điện áp emitter-base | Trường ĐHKT |, V: 6
Tối đa thu hiện tại | Ic max |, A: 0.6
Maksimalna nhiệt độ (Tj), ° C: 135
tần số chuyển đổi (ft), MHz: 100
Collector điện dung (Cc), pF: 6
Chuyển tiếp tỷ lệ chuyển nhượng hiện tại (hFE), min: 80